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理论研究预言，站集拉伸应变可使得SiGe的重/轻空穴在价带顶部分离，增加其空穴迁移率。（b）在不同温度下，控中AM2的霍尔电阻和MR的磁场强度依赖性。与此同时，入试拉伸应变增大晶格常数也有助于掺杂锰（Mn）的第IV半导体中的铁磁序
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